公司名稱: | 深圳市大芯超導有限公司 | 公司類型: | 企業單位 () |
所在地區: | 廣東/深圳市 | 公司規模: | |
注冊資本: | 未填寫 | 注冊年份: | 2012 |
資料認證: | ||
保 證 金: | 已繳納 ¥0.00 元 | |
經營范圍: | Wolfspeed-CREE碳化硅SiC MOSFET國產替代,英飛凌碳化硅SiC MOSFET國產替代,ON安森美碳化硅SiC MOSFET國產替代,英飛凌碳化硅MOSFET模塊國產替代,英飛凌混合SiC-IGBT單管國產替代,IMZA120R040M1H國產替代,IMW120R040M1H國產替代,IMW120R045M1國產替代,C3M0075120D國產替代,C3M0160120D國產替代,C3M0040120K國產替代,I型NPC1三電平IGBT模塊,T型NPC2三電平IGBT模塊,英飛凌IGB | |
銷售產品: | 英飛凌IGBT單管國產替代,英飛凌混合IGBT單管國產替代,英飛凌IGBT模塊國產替代,BGH50N65HF1,Hybrid SiC Module,混合IGBT模塊,混合碳化硅功率模塊,英飛凌混合SiC-IGBT單管國產替代,62mm Hybrid SiC Module,混合型SiC模塊,混合SiC模塊,功率半導體,BGH75N65HF1,IGBT 混合型SiC模塊,IKW75N65SS5國產替代,EconoDUAL? 3 Hybrid SiC Module,IKW75N65ES5國產替代,IKW75N6 | |
采購產品: | 基本半導體,儲能變流器碳化硅MOSFET,光伏逆變器IGBT,SiC MOSFET,分立IGBT,混合IGBT模塊,混合三電平SiC-IGBT模塊,光伏逆變器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,IGBT單管,混合IGBT單管,國產SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,國產SiC MOSFET模塊,SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊,混合SiC-IGBT模塊,BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,分立碳化硅MOSFET,國產TO263-7碳化硅MOSFE | |
主營行業: |
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