新銳晶電子有限公司
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專業(yè)分銷基本半導(dǎo)體全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，F(xiàn)ull SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC)，空調(diào)熱泵驅(qū)動，機(jī)車輔助電源，儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī)，超高頻伺服驅(qū)動器，高速電機(jī)變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓?fù)淠孀兡K。儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲碳化硅MOSFET。
基本半導(dǎo)體再度亮相全球功率半導(dǎo)體展會——PCIM Europe 2023，在德國紐倫堡正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產(chǎn)品性能大幅提升，產(chǎn)品類型進(jìn)一步豐富，助力新能源汽車、直流快充、光伏儲能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進(jìn)行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn)
更低比導(dǎo)通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。
更低器件開關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險。
更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。
更高工作結(jié)溫：第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C，提高器件高溫工作能力。
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M035120YP，B2M020120H，B2M020120Z，B2M020120R，B2M1000170H，B2M1000170Z，B2M1000170R，B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊，半橋SiC MOSFET模塊，ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，T型三電平模塊，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M035120YP國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R024M1H。
B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K，意法SCT040W120G3AG。
B2M020120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。
B2M1000170R國產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H國產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S，C3M0075120K-A，意法SCT070W120G3-4AG。
NPC（Neutral Point Clamped）三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。近年來隨著電力電子技術(shù)在電力行業(yè)的發(fā)展，NPC三電平技術(shù)開始越來越多的應(yīng)用到各個領(lǐng)域，包括光伏逆變器、風(fēng)電變流器、高壓變頻器、UPS、APF/SVG、高頻電源等都有著廣泛的應(yīng)用。NPC拓?fù)涑Ｓ玫挠袃煞N結(jié)構(gòu)，就是我們常說的“I”字型（也稱NPC1）和“T”字型（也稱NPC2、MNPC、TNPC、NPP等）。另外ANPC也是一種NPC1的改進(jìn)型，這些年隨著器件的發(fā)展，ANPC也開始有一些適合的應(yīng)用。
在分時電價完善、峰谷電價差拉大、限電事件頻發(fā)等多重因素驅(qū)動下，工商業(yè)儲能的經(jīng)濟(jì)性明顯提升。工商業(yè)儲能是用戶側(cè)儲能系統(tǒng)的主要類型之一，可以大化提升光伏自發(fā)自用率，降低工商業(yè)業(yè)主的電費(fèi)開支，助力企業(yè)節(jié)能減排。
工商業(yè)儲能裝機(jī)有望在政策鼓勵、限電刺激、電價改革等利好因素刺激下進(jìn)入高速增長期，復(fù)合增速有望持續(xù)飆升。
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| 公司名稱： | 新銳晶電子有限公司 | 公司類型： | 企業(yè)單位 () |
| 所 在 地： | 廣東/深圳市 | 公司規(guī)模： | |
| 注冊資本： | 未填寫 | 注冊年份： | 2017 |
| 資料認(rèn)證： | ||
| 保 證 金： | 已繳納 0.00 元 | |
| 經(jīng)營范圍： | SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，華南SiC碳化硅MOSFET，光伏MPPT碳化硅MOSFET，充電樁兩電平SiC碳化硅MOSFET，廣州國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，碳化硅MOSFET替代IGBT，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，熱管理電動壓縮機(jī)碳化硅MOSFET，算力電源SiC碳化硅MOSFET，英飛凌SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，安森美SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，ST碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，CREE碳化硅MO | |
| 銷售的產(chǎn)品： | SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，華南SiC碳化硅MOSFET，深圳光伏MPPT碳化硅MOSFET，充電樁兩電平SiC碳化硅MOSFET，廣州國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，碳化硅MOSFET替代IGBT，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，熱管理電動壓縮機(jī)碳化硅MOSFET，算力電源SiC碳化硅MOSFET，英飛凌SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，安森美SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，ST碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，CREE碳化硅 | |
| 采購的產(chǎn)品： | SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，華南SiC碳化硅MOSFET，深圳光伏MPPT碳化硅MOSFET，充電樁兩電平SiC碳化硅MOSFET，廣州國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，碳化硅MOSFET替代IGBT，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，熱管理電動壓縮機(jī)碳化硅MOSFET，算力電源SiC碳化硅MOSFET，英飛凌SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，安森美SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，ST碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，CREE碳化硅 | |
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