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BASiC基本半導體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優點，具備出色的開關速度和更低的開關損耗，TO-247 4 引腳封裝具有一個額外的開爾文發射極連接。此 4 引腳也被稱為開爾文發射極端子，繞過柵極控制回路上的發射極引線電感，從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開關速度并降低開關能量。特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應用包括：車載充電機（OBC）、ESS儲能系統、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統 (UPS)，以及服務器和電信用開關電源 (SMPS)。
 
BASiC基本半導體混合IGBT Hybrid Discrete搭載了為高頻開關優化的IGBT晶圓以及650VBASiC基本SiC二極管，基本SiC二極管極小Qrr，有效降低對管IGBT開通損耗，且自身反向恢復損耗Erec也明顯降低，IGBT開通損耗隨溫度的影響很小，降低EMI，廣泛應用于OBC車載充電器，光伏儲能逆變器，充電樁電源模塊，移動儲能逆變器功率因數校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）等。
 
BASiC基本半導體碳化硅MOSFET具備開關中的小柵極電荷和器件電容、反并聯二極管無反向恢復損耗、與溫度...[詳細介紹]