IDT發布行業首款兼容LRDIMM、RDIMM和NVDIMM的3200 MT/s芯片組

　　最新IDT芯片組集成先進功能，將DDR4速度和密度提升到新水平

　　2017年5月16日美國加州圣何塞——Integrated Device Technology, Inc.(IDT (R))(納斯達克股票代碼：IDTI)今天宣布向客戶和生態系統合作伙伴推出4RCD0232K寄存器和4DB0232K數據緩沖器樣品。該芯片組集成了近日被納入JEDEC最新標準(定義3200 MT/s性能器件)的新特性，包括決策反饋等化(DFE)、NVDIMM專用通信端口和細?；敵鲂盘柣亟锌刂频?。除了新特性和性能引擎，該芯片組還實現了目前業內最低的DDR4芯片組功耗。

　　隨著多插槽內存子系統速度越來越快，回叫和串擾影響了信號電壓幅值的質量，使之難以識別信號的邏輯電平。DFE是一項從噪聲中恢復原始信號的技術，能大大提高信號電平強度。雖然DFE剛剛被納入JEDEC標準，但IDT在前兩代器件中就已把它作為專有性能增強技術。幾年來，IDT與主要生態系統合作伙伴和控制器廠商合作促進必要的系統培訓軟件和固件開發，以充分實現DFE帶來的好處，IDT還是推動將該技術納入最新標準修訂版的主要支持者。

　　IDT還加入了一系列旨在提高NVDIMM密度和性能的特性。芯片組和NVDIMM控制器之間的新通信接口，以及用于在災難性停電時進行快速可靠恢復的自動狀態機，都支持服務器和存儲的新一代容錯和性能加速。除了密度和性能，通過集成前幾代NVDIMM使用的大量外部元件，芯片組還節省了成本。該芯片組可無縫配合IDT最新發布的P8800 NVDIMM電源管理芯片，提供一個具有可編程支持通電次序、電壓故障轉移和后備電源保護功能的完整解決方案。

　　IDT副總裁兼內存接口部總經理Rami Sethi表示：“該芯片組是過去幾年我們為將DRAM和存儲級內存解決方案帶寬和密度提高到新水平所付出的努力的結晶。為了提升多插槽內存拓撲的速度，IDT與我們的客戶和生態系統合作伙伴緊密合作，將高速串行接收器的常用技術引入了內存子系統。”

　　美光(Micron)計算與網絡業務部副總裁Malcolm Humphrey表示：“美光正在檢驗IDT DDR4 3200寄存器和數據緩沖器工程樣品。該芯片組使高成本效益的LRDIMM 3200解決方案成為可能，還有望把我們設計的NVDIMM提高到更高速度。”

　　經驗證，IDT最新芯片組已完全符合JEDEC規范。了解IDT的DDR4解決方案詳情，請訪問www.idt.com/go/DDR4 。

　　關于IDT

　　集成設備技術公司(IDT)開發系統級解決方案，為客戶優化應用。IDT的RF、高性能時序、存儲器接口、實時互連、光纖互連、無線供電和SmartSensors等市場領先產品屬于公司廣泛、全面的面向通信、計算、消費者、汽車和工業領域的混合信號解決方案。IDT總部位于加州圣何塞，在全球有設計、制造、銷售設施和分銷合作伙伴。IDT股票在納斯達克Global Select Stock Market(R)上市，股票代碼“IDTI”。了解IDT詳情，請訪問：www.IDT.com 。請在Facebook、linkedIn、Twitter、YouTube和Google+關注IDT。

　　(C) 2017, Integrated Device Technology, Inc.版權所有。IDT和IDT標識是集成設備技術公司及其全球子公司的商標或注冊商標。其他所有商標、產品名和標識是或可能是用于識別各自權屬人的產品或服務的商標或注冊商標。

　　聯系方式：

　　IDT媒體聯系方式：

　　Dean Solov

　　Public Relations Manager

　　(408) 284-2608

　　dean.solov@idt.com